货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.383664 | ¥5.38 |
10 | ¥4.391937 | ¥43.92 |
100 | ¥2.327727 | ¥232.77 |
500 | ¥1.531228 | ¥765.61 |
1000 | ¥1.041173 | ¥1041.17 |
2000 | ¥0.939167 | ¥1878.33 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RZM002P02
单位重量 1.500 mg
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0RZM002P02T2L
型号:RZM002P02T2L
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.383664 |
10+: | ¥4.391937 |
100+: | ¥2.327727 |
500+: | ¥1.531228 |
1000+: | ¥1.041173 |
2000+: | ¥0.939167 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.38