ZXMN10A08GTA
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- 制造商编号：
- ZXMN10A08GTA
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
- 渠道：
- 自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.594762 | ￥5.59 |
| 10 | ￥4.655017 | ￥46.55 |
| 30 | ￥4.185144 | ￥125.55 |
| 100 | ￥3.726199 | ￥372.62 |
| 500 | ￥3.103345 | ￥1551.67 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 7.7 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 2.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
ZXMN10A08GTA 同类别型号
注
ZXMN10A08GTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、ZXMN10A08GTA
数据手册PDF。
ZXMN10A08GTA
型号：ZXMN10A08GTA
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.594762 |
| 10+： | ￥4.655017 |
| 30+： | ￥4.185144 |
| 100+： | ￥3.726199 |
| 500+： | ￥3.103345 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.59