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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.459029 | ¥7377.09 |
6000 | ¥2.28949 | ¥13736.94 |
15000 | ¥2.204687 | ¥33070.31 |
30000 | ¥2.148172 | ¥64445.16 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 8.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 6.6 S
上升时间 2.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.3 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0ZXMN6A08E6QTA
型号:ZXMN6A08E6QTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.459029 |
6000+: | ¥2.28949 |
15000+: | ¥2.204687 |
30000+: | ¥2.148172 |
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