货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥16.076553 | ¥12861.24 |
1600 | ¥13.765582 | ¥22024.93 |
2400 | ¥12.961721 | ¥31108.13 |
5600 | ¥12.435455 | ¥69638.55 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 165 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 105 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SQM60030E_GE3
型号:SQM60030E_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
800+: | ¥16.076553 |
1600+: | ¥13.765582 |
2400+: | ¥12.961721 |
5600+: | ¥12.435455 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00