DMN3030LSS-13
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- 制造商编号：
- DMN3030LSS-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：1421
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.105752 | ￥6.11 |
| 10 | ￥5.19612 | ￥51.96 |
| 100 | ￥3.608624 | ￥360.86 |
| 500 | ￥2.817868 | ￥1408.93 |
| 1000 | ￥2.290405 | ￥2290.40 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 16.7 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 4.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 4.95 mm
宽度 3.95 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 850 mg
DMN3030LSS-13 同类别型号
注
DMN3030LSS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMN3030LSS-13
数据手册PDF
。
DMN3030LSS-13
型号：DMN3030LSS-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：1421 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.105752 |
| 10+： | ￥5.19612 |
| 100+： | ￥3.608624 |
| 500+： | ￥2.817868 |
| 1000+： | ￥2.290405 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.11