货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.855807 | ¥11.86 |
10 | ¥10.622323 | ¥106.22 |
100 | ¥8.285892 | ¥828.59 |
500 | ¥6.844753 | ¥3422.38 |
1000 | ¥5.403853 | ¥5403.85 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 111.9 A
漏源电阻 2.9 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 154 nC
耗散功率 65.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SISS61DN-T1-GE3
型号:SISS61DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.855807 |
10+: | ¥10.622323 |
100+: | ¥8.285892 |
500+: | ¥6.844753 |
1000+: | ¥5.403853 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.86