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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 6.1 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.8 ns
上升时间 5.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 8.3 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0FDD6N20TM
型号:FDD6N20TM
品牌:ON
供货:锐单
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