货期:(7~10天)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥0.611671 | ¥6.12 |
100 | ¥0.480227 | ¥48.02 |
300 | ¥0.456084 | ¥136.83 |
1000 | ¥0.431942 | ¥431.94 |
5000 | ¥0.421212 | ¥2106.06 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RZM002P02
单位重量 1.500 mg
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0RZM002P02T2L
型号:RZM002P02T2L
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
10+: | ¥0.611671 |
100+: | ¥0.480227 |
300+: | ¥0.456084 |
1000+: | ¥0.431942 |
5000+: | ¥0.421212 |
货期:7-10天
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