
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.895414 | ¥4.90 |
| 10 | ¥3.044336 | ¥30.44 |
| 100 | ¥1.906152 | ¥190.62 |
| 500 | ¥1.411103 | ¥705.55 |
| 1000 | ¥1.251085 | ¥1251.09 |
| 2000 | ¥1.11585 | ¥2231.70 |
| 5000 | ¥0.969293 | ¥4846.47 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 190 mA
漏源电阻 2.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 600 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 410 mS
上升时间 3.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.4 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS123N H6433 SP000939268
单位重量 8 mg
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0BSS123NH6433XTMA1
型号:BSS123NH6433XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.895414 |
| 10+: | ¥3.044336 |
| 100+: | ¥1.906152 |
| 500+: | ¥1.411103 |
| 1000+: | ¥1.251085 |
| 2000+: | ¥1.11585 |
| 5000+: | ¥0.969293 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.90