HN1B01FDW1T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.453311 | ￥1359.93 |
| 6000 | ￥0.394189 | ￥2365.13 |
| 15000 | ￥0.335067 | ￥5026.01 |
| 30000 | ￥0.315337 | ￥9460.11 |
| 75000 | ￥0.295607 | ￥22170.53 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V, - 50 V
集电极—基极电压 60 V, - 60 V
发射极 - 基极电压 7 V, - 7 V
饱和电压 250 mV, - 300 mV
最大直流电集电极电流 200 mA, - 200 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 -
集电极连续电流 0.2 A
直流集电极 200
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 13.430 mg
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注
HN1B01FDW1T1G
型号：HN1B01FDW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.453311 |
| 6000+： | ￥0.394189 |
| 15000+： | ￥0.335067 |
| 30000+： | ￥0.315337 |
| 75000+： | ￥0.295607 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00