NE58219-T1-A
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 CEL
商标 CEL
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 Si
晶体管极性 NPN
直流集电极 120
击穿电压(集电极-发射极) 12 V
发射极 - 基极电压 3 V
集电极连续电流 0.06 A
配置 Single
耗散功率 100 mW (1/10 W)
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Bipolar Small Signal
NE58219-T1-A 同类别型号
注
NE58219-T1-A
型号：NE58219-T1-A
品牌：CEL
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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