HN1B01FDW1T1G
库存 ：8015
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.167777 | ￥5.17 |
| 10 | ￥4.200475 | ￥42.00 |
| 100 | ￥2.226119 | ￥222.61 |
| 500 | ￥1.464205 | ￥732.10 |
| 1000 | ￥0.995659 | ￥995.66 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V, - 50 V
集电极—基极电压 60 V, - 60 V
发射极 - 基极电压 7 V, - 7 V
饱和电压 250 mV, - 300 mV
最大直流电集电极电流 200 mA, - 200 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 -
集电极连续电流 0.2 A
直流集电极 200
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 13.430 mg
HN1B01FDW1T1G 同类别型号
注
HN1B01FDW1T1G
型号：HN1B01FDW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：8015 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.167777 |
| 10+： | ￥4.200475 |
| 100+： | ￥2.226119 |
| 500+： | ￥1.464205 |
| 1000+： | ￥0.995659 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.17