
货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥2.710836 | ¥8132.51 |
| 6000 | ¥2.509512 | ¥15057.07 |
| 9000 | ¥2.40625 | ¥21656.25 |
| 15000 | ¥2.313849 | ¥34707.74 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 11.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 5.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF4E110GN
购物车
0RF4E110GNTR
型号:RF4E110GNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥2.710836 |
| 6000+: | ¥2.509512 |
| 9000+: | ¥2.40625 |
| 15000+: | ¥2.313849 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00