货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.24617 | ¥6738.51 |
6000 | ¥2.131906 | ¥12791.44 |
9000 | ¥1.979635 | ¥17816.72 |
30000 | ¥1.934029 | ¥58020.87 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 11.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 5.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF4E110GN
购物车
0RF4E110GNTR
型号:RF4E110GNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.24617 |
6000+: | ¥2.131906 |
9000+: | ¥1.979635 |
30000+: | ¥1.934029 |
货期:7-10天
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