
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.136731 | ¥16.14 |
| 10 | ¥14.505518 | ¥145.06 |
| 25 | ¥13.713882 | ¥342.85 |
| 100 | ¥10.971223 | ¥1097.12 |
| 250 | ¥10.361652 | ¥2590.41 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFSL3207ZPBF SP001552364
单位重量 2.387 g
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0IRFSL3207ZPBF
型号:IRFSL3207ZPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥16.136731 |
| 10+: | ¥14.505518 |
| 25+: | ¥13.713882 |
| 100+: | ¥10.971223 |
| 250+: | ¥10.361652 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.14