TSM160N10CZ C0G
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TSM160N10CZ C0G
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 160A TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：3888
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥34.226185 | ￥34.23 |
| 10 | ￥30.717074 | ￥307.17 |
| 25 | ￥28.977347 | ￥724.43 |
| 100 | ￥22.600403 | ￥2260.04 |
| 250 | ￥22.021399 | ￥5505.35 |
| 500 | ￥19.123912 | ￥9561.96 |
| 1000 | ￥16.2263 | ￥16226.30 |
| 2500 | ￥15.994502 | ￥39986.26 |
| 5000 | ￥14.835508 | ￥74177.54 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM160N10CZ C0G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 160A TO220
包装
Tube
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5.5mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
154nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9840pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
TSM160N10CZ C0G 相关产品
TSM160N10CZ C0G 同类别型号
注
TSM160N10CZ C0G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购TSM160N10CZ C0G、查询TSM160N10CZ C0G代理商；
TSM160N10CZ C0G价格批发咨询客服；这里拥有
TSM160N10CZ C0G中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到TSM160N10CZ C0G
替代型号
、TSM160N10CZ C0G
数据手册PDF。
TSM160N10CZ C0G
型号：TSM160N10CZ C0G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：3888 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥34.226185 |
| 10+： | ￥30.717074 |
| 25+： | ￥28.977347 |
| 100+： | ￥22.600403 |
| 250+： | ￥22.021399 |
| 500+： | ￥19.123912 |
| 1000+： | ￥16.2263 |
| 2500+： | ￥15.994502 |
| 5000+： | ￥14.835508 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥34.23