
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥2.263707 | ¥4527.41 |
| 6000 | ¥2.155923 | ¥12935.54 |
| 10000 | ¥2.056407 | ¥20564.07 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 21.4 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 31.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SUD23N06-31-BE3
单位重量 330 mg
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0SUD23N06-31-GE3
型号:SUD23N06-31-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥2.263707 |
| 6000+: | ¥2.155923 |
| 10000+: | ¥2.056407 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00