
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.484866 | ¥9.48 |
| 10 | ¥6.36404 | ¥63.64 |
| 100 | ¥4.340091 | ¥434.01 |
| 500 | ¥3.41241 | ¥1706.20 |
| 1000 | ¥3.105836 | ¥3105.84 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 11.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 5.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF4E110GN
购物车
0RF4E110GNTR
型号:RF4E110GNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.484866 |
| 10+: | ¥6.36404 |
| 100+: | ¥4.340091 |
| 500+: | ¥3.41241 |
| 1000+: | ¥3.105836 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.48