SUD23N06-31-GE3
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- 制造商编号：
- SUD23N06-31-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252
- 渠道：
- digikey
库存 ：6172
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.215034 | ￥13.22 |
| 10 | ￥10.856222 | ￥108.56 |
| 100 | ￥8.43915 | ￥843.91 |
| 500 | ￥7.152887 | ￥3576.44 |
| 1000 | ￥5.826836 | ￥5826.84 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 21.4 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 31.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导（Min） 20 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SUD23N06-31-BE3
单位重量 330 mg
SUD23N06-31-GE3 同类别型号
注
SUD23N06-31-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SUD23N06-31-GE3
数据手册PDF。
SUD23N06-31-GE3
型号：SUD23N06-31-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：6172 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.215034 |
| 10+： | ￥10.856222 |
| 100+： | ￥8.43915 |
| 500+： | ￥7.152887 |
| 1000+： | ￥5.826836 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.22