货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥29.357221 | ¥29.36 |
10 | ¥26.350474 | ¥263.50 |
100 | ¥21.179814 | ¥2117.98 |
500 | ¥17.401256 | ¥8700.63 |
1000 | ¥14.418184 | ¥14418.18 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 39 A
漏源电阻 2.75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 75 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4126DY-GE3
单位重量 750 mg
购物车
0SI4126DY-T1-GE3
型号:SI4126DY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥29.357221 |
10+: | ¥26.350474 |
100+: | ¥21.179814 |
500+: | ¥17.401256 |
1000+: | ¥14.418184 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.36