SBC847BDW1T3G
库存 ：11323
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.584318 | ￥5.58 |
| 10 | ￥3.921433 | ￥39.21 |
| 100 | ￥1.981812 | ￥198.18 |
| 500 | ￥1.616227 | ￥808.11 |
| 1000 | ￥1.199264 | ￥1199.26 |
| 2000 | ￥1.008901 | ￥2017.80 |
| 5000 | ￥0.964598 | ￥4822.99 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 200 at 2 mA, 5 V
直流电流增益（Max） 450 at 2 mA, 5 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
SBC847BDW1T3G 同类别型号
注
SBC847BDW1T3G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、SBC847BDW1T3G
数据手册PDF。
SBC847BDW1T3G
型号：SBC847BDW1T3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：11323 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.584318 |
| 10+： | ￥3.921433 |
| 100+： | ￥1.981812 |
| 500+： | ￥1.616227 |
| 1000+： | ￥1.199264 |
| 2000+： | ￥1.008901 |
| 5000+： | ￥0.964598 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.58