
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.492383 | ¥1477.15 |
| 6000 | ¥0.470764 | ¥2824.58 |
| 9000 | ¥0.407136 | ¥3664.22 |
| 30000 | ¥0.399519 | ¥11985.57 |
| 75000 | ¥0.330794 | ¥24809.55 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 5.1 nC
耗散功率 600 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 3.8 S
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 31 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 12 mg
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0SSM3J352F,LF
型号:SSM3J352F,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.492383 |
| 6000+: | ¥0.470764 |
| 9000+: | ¥0.407136 |
| 30000+: | ¥0.399519 |
| 75000+: | ¥0.330794 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00