NST847BPDP6T5G

制造商 onsemi

商标 onsemi

晶体管极性 NPN, PNP

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 45 V, - 45 V

集电极—基极电压 50 V, - 50 V

发射极 - 基极电压 6 V, - 5 V

饱和电压 600 mV, - 700 mV

最大直流电集电极电流 100 mA, - 100 mA

耗散功率 420 mW

增益带宽产品 100 MHz

直流集电极 200 at 2 mA, 5 V at NPN, 220 at 2 mA, 5 V at PNP

直流电流增益（Max） 200 at 2 mA, 5 V

技术 Si

高度 0.37 mm

长度 1 mm

宽度 0.8 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 1.190 mg