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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 4.7 nC
耗散功率 28.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 7.3 S
上升时间 69 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 9.7 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0NTD3055L170T4G
型号:NTD3055L170T4G
品牌:ON
供货:锐单
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