
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.672513 | ¥6.67 |
| 10 | ¥4.642364 | ¥46.42 |
| 100 | ¥2.342478 | ¥234.25 |
| 500 | ¥1.911462 | ¥955.73 |
| 1000 | ¥1.418123 | ¥1418.12 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 5.1 nC
耗散功率 600 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 3.8 S
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 31 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 12 mg
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0SSM3J352F,LF
型号:SSM3J352F,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.672513 |
| 10+: | ¥4.642364 |
| 100+: | ¥2.342478 |
| 500+: | ¥1.911462 |
| 1000+: | ¥1.418123 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.67