货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.54008 | ¥3850.20 |
5000 | ¥1.440722 | ¥7203.61 |
12500 | ¥1.341364 | ¥16767.05 |
25000 | ¥1.271806 | ¥31795.15 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 26 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 49 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 7.3 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD50R3K0CE SP001396826
单位重量 330 mg
购物车
0IPD50R3K0CEAUMA1
型号:IPD50R3K0CEAUMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.54008 |
5000+: | ¥1.440722 |
12500+: | ¥1.341364 |
25000+: | ¥1.271806 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00