
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.288019 | ¥864.06 |
| 6000 | ¥0.261313 | ¥1567.88 |
| 9000 | ¥0.24755 | ¥2227.95 |
| 15000 | ¥0.231956 | ¥3479.34 |
| 21000 | ¥0.222674 | ¥4676.15 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 380 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 590 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.5 ns
正向跨导(Min) 1.8 S
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.6 ns
典型接通延迟时间 2.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN62D0U-7
型号:DMN62D0U-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.288019 |
| 6000+: | ¥0.261313 |
| 9000+: | ¥0.24755 |
| 15000+: | ¥0.231956 |
| 21000+: | ¥0.222674 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00