
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥7.168004 | ¥17920.01 |
| 5000 | ¥6.898484 | ¥34492.42 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 143 S
上升时间 6.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 5.3 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 105.300 mg
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0CSD18502Q5B
型号:CSD18502Q5B
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥7.168004 |
| 5000+: | ¥6.898484 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00