货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.673978 | ¥5.67 |
10 | ¥4.305887 | ¥43.06 |
30 | ¥4.061071 | ¥121.83 |
100 | ¥3.816254 | ¥381.63 |
500 | ¥3.701047 | ¥1850.52 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 22.4 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24.4 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMT6008LFG-7
型号:DMT6008LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.673978 |
10+: | ¥4.305887 |
30+: | ¥4.061071 |
100+: | ¥3.816254 |
500+: | ¥3.701047 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.67