货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.074341 | ¥12.07 |
10 | ¥10.831394 | ¥108.31 |
100 | ¥8.448487 | ¥844.85 |
500 | ¥6.97897 | ¥3489.49 |
1000 | ¥5.509806 | ¥5509.81 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 127.5 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 72.2 nC, 157.2 nC
耗散功率 65.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns, 70 ns
正向跨导(Min) 75 S
上升时间 28 ns, 60 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns, 100 ns
典型接通延迟时间 20 ns, 40 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SISS63DN-T1-GE3
型号:SISS63DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.074341 |
10+: | ¥10.831394 |
100+: | ¥8.448487 |
500+: | ¥6.97897 |
1000+: | ¥5.509806 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.07