商品描述
ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
125mOhm @ 28A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
120nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2250pF @ 1000V