HN1C03FU-B,LF
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- 制造商编号：
- HN1C03FU-B,LF
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 双极晶体管预偏置
- 商品描述：
- NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.401547 | ￥1204.64 |
| 6000 | ￥0.367754 | ￥2206.52 |
| 15000 | ￥0.318057 | ￥4770.85 |
| 30000 | ￥0.312094 | ￥9362.82 |
| 75000 | ￥0.258422 | ￥19381.65 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 20 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 25 V
饱和电压 42 mV
最大直流电集电极电流 300 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 30 MHz
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 1200
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6.800 mg
HN1C03FU-B,LF 同类别型号
注
HN1C03FU-B,LF
型号：HN1C03FU-B,LF
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.401547 |
| 6000+： | ￥0.367754 |
| 15000+： | ￥0.318057 |
| 30000+： | ￥0.312094 |
| 75000+： | ￥0.258422 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00