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制造商 GeneSiC Semiconductor
商标 GeneSiC Semiconductor
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 1200 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 50 mO
耗散功率 282 W
产品种类 JFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 JFETs
单位重量 1.450 g
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0GA20JT12-263
型号:GA20JT12-263
品牌:GENESIC
供货:锐单
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