HN1C03FU-B,LF
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- 制造商编号：
- HN1C03FU-B,LF
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 双极晶体管预偏置
- 商品描述：
- NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
- 渠道：
- digikey
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.571729 | ￥4.57 |
| 10 | ￥3.360839 | ￥33.61 |
| 25 | ￥2.940733 | ￥73.52 |
| 100 | ￥1.596398 | ￥159.64 |
| 250 | ￥1.587997 | ￥397.00 |
| 500 | ￥1.302325 | ￥651.16 |
| 1000 | ￥0.966241 | ￥966.24 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 20 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 25 V
饱和电压 42 mV
最大直流电集电极电流 300 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 30 MHz
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 1200
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6.800 mg
HN1C03FU-B,LF 同类别型号
注
HN1C03FU-B,LF
型号：HN1C03FU-B,LF
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.571729 |
| 10+： | ￥3.360839 |
| 25+： | ￥2.940733 |
| 100+： | ￥1.596398 |
| 250+： | ￥1.587997 |
| 500+： | ￥1.302325 |
| 1000+： | ￥0.966241 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.57