SIS434DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIS434DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：18651
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.578613 | ￥22.58 |
| 10 | ￥14.274533 | ￥142.75 |
| 100 | ￥9.496655 | ￥949.67 |
| 500 | ￥7.444579 | ￥3722.29 |
| 1000 | ￥6.784042 | ￥6784.04 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 6.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 60 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS434DN-GE3
单位重量 1 g
SIS434DN-T1-GE3 同类别型号
注
SIS434DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIS434DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SIS434DN-T1-GE3
型号：SIS434DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：18651 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.578613 |
| 10+： | ￥14.274533 |
| 100+： | ￥9.496655 |
| 500+： | ￥7.444579 |
| 1000+： | ￥6.784042 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.58