货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥3.338952 | ¥3338.95 |
2000 | ¥3.116403 | ¥6232.81 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 -
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 300 mS
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
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0ZVN4206GVTA
型号:ZVN4206GVTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥3.338952 |
2000+: | ¥3.116403 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00