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MSC025SMA120B

MICROSEMI(美高森美)
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制造商编号:
MSC025SMA120B
制造商:
MICROSEMI(美高森美)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM TO-
渠道:
digikey

库存 :403

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 485.138964 485.14
25 447.36921 11184.23
100 396.113814 39611.38

规格参数

属性
参数值

制造商型号

MSC025SMA120B

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM TO-

包装

-

系列

-

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

漏源电压(Vdss)

1.2kV

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

103A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

31mOhm @ 40A, 20V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

232nC @ 20V

Vgs(最大值)

+25V, -10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

3020pF @ 1000V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

500W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型

Through Hole

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

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型号:MSC025SMA120B

品牌:MICROSEMI

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