
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.730148 | ¥22.73 |
| 10 | ¥14.319992 | ¥143.20 |
| 100 | ¥9.531508 | ¥953.15 |
| 500 | ¥7.47246 | ¥3736.23 |
| 1000 | ¥6.810106 | ¥6810.11 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 12.7 nC
耗散功率 7 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R360PFD7S SP004038250
单位重量 116.010 mg
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0IPN60R360PFD7SATMA1
型号:IPN60R360PFD7SATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.730148 |
| 10+: | ¥14.319992 |
| 100+: | ¥9.531508 |
| 500+: | ¥7.47246 |
| 1000+: | ¥6.810106 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.73