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IPN60R360PFD7SATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPN60R360PFD7SATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V
渠道:
digikey

库存 :13608

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 13.322831 13.32
10 10.932192 109.32
100 8.504198 850.42
500 7.208024 3604.01
1000 5.871632 5871.63

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 10 A

漏源电阻 360 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 12.7 nC

耗散功率 7 W

通道模式 Enhancement

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPN60R360PFD7S SP004038250

单位重量 116.010 mg

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IPN60R360PFD7SATMA1

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型号:IPN60R360PFD7SATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:13608 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥13.322831
10+: ¥10.932192
100+: ¥8.504198
500+: ¥7.208024
1000+: ¥5.871632

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