货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.322831 | ¥13.32 |
10 | ¥10.932192 | ¥109.32 |
100 | ¥8.504198 | ¥850.42 |
500 | ¥7.208024 | ¥3604.01 |
1000 | ¥5.871632 | ¥5871.63 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 12.7 nC
耗散功率 7 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R360PFD7S SP004038250
单位重量 116.010 mg
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0IPN60R360PFD7SATMA1
型号:IPN60R360PFD7SATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.322831 |
10+: | ¥10.932192 |
100+: | ¥8.504198 |
500+: | ¥7.208024 |
1000+: | ¥5.871632 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.32