货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.436116 | ¥1308.35 |
6000 | ¥0.404557 | ¥2427.34 |
9000 | ¥0.335426 | ¥3018.83 |
30000 | ¥0.329557 | ¥9886.71 |
75000 | ¥0.295993 | ¥22199.48 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 310 mA
漏源电阻 1.33 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 700 pC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
正向跨导(Min) 530 mS
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55.8 ns
典型接通延迟时间 12.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6.200 mg
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02V7002WT1G
型号:2V7002WT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.436116 |
6000+: | ¥0.404557 |
9000+: | ¥0.335426 |
30000+: | ¥0.329557 |
75000+: | ¥0.295993 |
货期:1-2天
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