NST3906DXV6T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：4000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ￥0.533169 | ￥2132.68 |
| 8000 | ￥0.489543 | ￥3916.34 |
| 12000 | ￥0.46713 | ￥5605.56 |
| 20000 | ￥0.441813 | ￥8836.26 |
| 28000 | ￥0.426787 | ￥11950.04 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 40 V
集电极—基极电压 - 40 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 400 mV
最大直流电集电极电流 - 200 mA
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 250 MHz
集电极连续电流 - 0.2 A
直流集电极 60
技术 Si
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
NST3906DXV6T1G 同类别型号
注
NST3906DXV6T1G
型号：NST3906DXV6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 4000+： | ￥0.533169 |
| 8000+： | ￥0.489543 |
| 12000+： | ￥0.46713 |
| 20000+： | ￥0.441813 |
| 28000+： | ￥0.426787 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00