
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥31.574611 | ¥31.57 |
| 10 | ¥26.25979 | ¥262.60 |
| 100 | ¥20.89925 | ¥2089.92 |
| 500 | ¥17.683782 | ¥8841.89 |
| 1000 | ¥15.004513 | ¥15004.51 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 172 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 143 S
上升时间 7.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 120.500 mg
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0CSD18532Q5B
型号:CSD18532Q5B
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥31.574611 |
| 10+: | ¥26.25979 |
| 100+: | ¥20.89925 |
| 500+: | ¥17.683782 |
| 1000+: | ¥15.004513 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥31.57