EPC2016C
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- 制造商编号：
- EPC2016C
- 制造商：
- EPS
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
- 渠道：
- digikey
库存 ：178088
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥32.221865 | ￥32.22 |
| 10 | ￥26.785202 | ￥267.85 |
| 100 | ￥21.317438 | ￥2131.74 |
| 500 | ￥18.037526 | ￥9018.76 |
| 1000 | ￥15.304516 | ￥15304.52 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2016C
制造商
EPS
商品描述
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
18A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
16mOhm @ 11A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
4.5nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V, -4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
420pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Die
封装/外壳
Die
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注
EPC2016C品牌厂家：EPS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、EPC2016C
数据手册PDF。
EPC2016C
型号：EPC2016C
品牌：EPS
供货：锐单
库存：178088 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥32.221865 |
| 10+： | ￥26.785202 |
| 100+： | ￥21.317438 |
| 500+： | ￥18.037526 |
| 1000+： | ￥15.304516 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥32.22