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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥18.470771 | ¥18.47 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5.7 A
漏源电阻 2.19 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 32 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 16.15 mm
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPA80R650CE SP001313394
单位重量 2 g
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0IPA80R650CEXKSA2
型号:IPA80R650CEXKSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.470771 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.47