
货期:国内(1~3工作日)
起订量:10000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ¥0.346733 | ¥3467.33 |
| 20000 | ¥0.319775 | ¥6395.50 |
| 30000 | ¥0.305886 | ¥9176.58 |
| 50000 | ¥0.291239 | ¥14561.95 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 900 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.3 ns
上升时间 3.4 ns
典型关闭延迟时间 26.4 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN62D1LFB-7B
型号:DMN62D1LFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 10000+: | ¥0.346733 |
| 20000+: | ¥0.319775 |
| 30000+: | ¥0.305886 |
| 50000+: | ¥0.291239 |
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