
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.762789 | ¥11.76 |
| 10 | ¥10.558503 | ¥105.59 |
| 100 | ¥8.484332 | ¥848.43 |
| 500 | ¥6.970965 | ¥3485.48 |
| 1000 | ¥5.775922 | ¥5775.92 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 176 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 113 ns
上升时间 259 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 136 ns
典型接通延迟时间 32 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP80N06
型号:FDP80N06
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.762789 |
| 10+: | ¥10.558503 |
| 100+: | ¥8.484332 |
| 500+: | ¥6.970965 |
| 1000+: | ¥5.775922 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.76