
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.249335 | ¥7.25 |
| 10 | ¥5.890085 | ¥58.90 |
| 100 | ¥4.010436 | ¥401.04 |
| 500 | ¥3.007438 | ¥1503.72 |
| 1000 | ¥2.25558 | ¥2255.58 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
购物车
0SI8802DB-T2-E1
型号:SI8802DB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.249335 |
| 10+: | ¥5.890085 |
| 100+: | ¥4.010436 |
| 500+: | ¥3.007438 |
| 1000+: | ¥2.25558 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.25