货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.322597 | ¥6.32 |
10 | ¥5.13711 | ¥51.37 |
100 | ¥3.497752 | ¥349.78 |
500 | ¥2.622976 | ¥1311.49 |
1000 | ¥1.967232 | ¥1967.23 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
购物车
0SI8802DB-T2-E1
型号:SI8802DB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.322597 |
10+: | ¥5.13711 |
100+: | ¥3.497752 |
500+: | ¥2.622976 |
1000+: | ¥1.967232 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.32