NST3906DXV6T1G
库存 ：11445
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.94241 | ￥4.94 |
| 10 | ￥3.632671 | ￥36.33 |
| 25 | ￥3.182911 | ￥79.57 |
| 100 | ￥1.727372 | ￥172.74 |
| 250 | ￥1.71897 | ￥429.74 |
| 500 | ￥1.409575 | ￥704.79 |
| 1000 | ￥1.045813 | ￥1045.81 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 40 V
集电极—基极电压 - 40 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 400 mV
最大直流电集电极电流 - 200 mA
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 250 MHz
集电极连续电流 - 0.2 A
直流集电极 60
技术 Si
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
NST3906DXV6T1G 同类别型号
注
NST3906DXV6T1G
型号：NST3906DXV6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：11445 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.94241 |
| 10+： | ￥3.632671 |
| 25+： | ￥3.182911 |
| 100+： | ￥1.727372 |
| 250+： | ￥1.71897 |
| 500+： | ￥1.409575 |
| 1000+： | ￥1.045813 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.94