
货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥20.603479 | ¥61810.44 |
| 6000 | ¥19.828885 | ¥118973.31 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 52 A
漏源电阻 7.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
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0NTMYS7D3N04CLTWG
型号:NTMYS7D3N04CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥20.603479 |
| 6000+: | ¥19.828885 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00