
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.820159 | ¥2460.48 |
| 6000 | ¥0.786079 | ¥4716.47 |
| 9000 | ¥0.707483 | ¥6367.35 |
| 30000 | ¥0.696988 | ¥20909.64 |
| 75000 | ¥0.655066 | ¥49129.95 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 4.2 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3424CDV-T1-BE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3424CDV-T1-GE3
型号:SI3424CDV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.820159 |
| 6000+: | ¥0.786079 |
| 9000+: | ¥0.707483 |
| 30000+: | ¥0.696988 |
| 75000+: | ¥0.655066 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00