
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.00253 | ¥20.00 |
| 10 | ¥12.592501 | ¥125.93 |
| 100 | ¥8.32075 | ¥832.08 |
| 500 | ¥6.488398 | ¥3244.20 |
| 1000 | ¥5.898322 | ¥5898.32 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 4.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SISA01DN-T1-GE3
型号:SISA01DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.00253 |
| 10+: | ¥12.592501 |
| 100+: | ¥8.32075 |
| 500+: | ¥6.488398 |
| 1000+: | ¥5.898322 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.00